gallium phosphide
简介
磷化镓 (GaP)是制作半导体发光器件的重要材料. 其晶体是橙色透明的，具有闪锌矿结构，晶格常数为5.45Å，解理面为{110}面，禁带宽度为2.26eV.
与砷化镓不同，磷化镓是一种间接带隙材料. 当引入能形成等电子陷阱的杂质后，其发光效率会大大提高，并且能根据引入杂质的不同而发出不同颜色的光来. 例如在磷化镓中掺入氮则发绿光，掺入锌-氧对则发红光，因此磷化镓是制作可见光发光二极管和数码管等光电显示器件的重要材料，此外还可用来制作光电倍增管、光电存储器、高温开关等器件.
磷化镓的熔点为1467℃，由于含有易挥发的磷，在熔点温度时，磷化镓的离解压高达35个大气压，因此必须在高压容器内进行合成和晶体生长. 从高温熔体中拉制的磷化镓晶体常含有较多的镓、磷空位等缺陷，它们在冷却时可因过饱和而凝聚成微缺陷，从而影响器件的发光效率.为减少这些缺陷，可采用溶质合成扩散法进行晶体生长，但生长速度慢、不易得到大晶体.目前器件制作中大多使用外延生长的磷化镓薄膜，而体单晶只用来作衬底材料.