semiconductor rectifier
简介
利用半导体PN结和金属-半导体接触的单向导电性，可制备各种半导体整流器. 早期的半导体整流器有氧化亚铜和硒整流器，本世纪30年代曾在德国大量生产. 50年代初，紧随晶体管的发明和半导体单晶材料制备工艺的完善，锗、硅等单晶半导体整流器相继出现，并批量生产，目前大多数整流设备均采用硅整流器.
与早期的氧化亚铜和硒整流器不同，组成硅整流器的基本结构硅PN结具有 十分良好的正向特性和反向特性. 图中给出了典型的250安硅整流二极管的伏安特性; 象限Ⅰ表明了器件良好的通导特性，象限Ⅲ则反映了器件优异的反向耐压特性(注意图中上下和左右标度的不同). 器件的额定正向电流和结面积有关，也受管壳和散热系统的限制，额定电流为数百安的硅PN结整流器，其结面积可达平方厘米量级，单片整流器的额定工作电压可达数千伏，需要更高电压时可对器件加以串联. 把若干硅片串联于同一封装内以完成所需整流功能的装置称为硅堆;另 一种硅片的集合用于桥式整流电路，称为半波桥式整流器或全波桥式整流器.
典型功率半导体整流器伏安特性
功率半导体整流器应用时，散热是需着重考虑的问题，无论正向或反向，器件均会产生焦耳热，这将引起自身的温升，对于硅整流器，内部温度达到或超过200℃时，其特性将严重恶化; 因而功率半导体整流器的封装均需有良好的散热设计. 在甚大功率运用条件下，可对半导体整流器施以强制风冷或水冷.