point contact transistor
简介
1948年美国科学家J.Bardeen和W.H.Brattain在物理评论杂志上公开报导了1947年在美国Bell实验室首次制成了点接触晶体管. 点接触晶体管是历史上最早出现的具有象真空管那样放大电信号作用的半导体器件; 在此之前，人们仅利用半导体制作热敏电阻、光二极管及整流器.
典型的点接触晶体管
早期典型的点接触晶体管的构成可简要描述如下：用两根金属触丝非常靠近地点接触在一片小的锗晶体上，使这两个接触为整流接触;同时在离开上述二个触点某个距离处用一个金属条(片或块)同该锗晶片形成 一个非整流大面积接触;再用一小型管壳进行封装后就制成了点接触晶体管(如图所示).这种点接触晶体管其典型特性为： 截止频率10兆赫量级、功率增益20分贝左右、输出功率可达150毫瓦、最大偏置电压从1伏到40伏同使用有关、体积为1/4厘米3.点接触晶体管的发明，标志着电子器件从真空管开始进入晶体管时代，是电子工业的一次革命，对人类生活起着巨大的影响.
稍后于点接触晶体管的发明，出现了用两个耦合的PN结代替两个点接触的所谓结型晶体管(或称双极结型晶体管)，这种晶体管无论在制造工艺、器件特性及理论研究深度方面都优于点接触晶体管，所以在结型晶体管出现不久，点接触晶体管还未形成大量工业生产能力时已被淘汰了.