PooleFrenkel effect
简介
P-F效应是指由于外加电场的作用使电介质的库伦势降低，直到电介质能够发生载流子的场发射为止，或者说，它是在电场作用下使施主电离的效应. 对于带电粒子的电离能I，由于存在P-F项，使
而降低了，电离能I变为I-△I，其中α为P-F常数，它的值
，e为元电荷，ε为介质材料的介电常数.
能量示意图
由陷阱发射电流的P-F理论能简化为如
下表示式
式中E=U/δ为附加的内电场，U为电压，δ为两种反号空间电荷间的距离，I为陷阱中电荷的电离能，χ为放电过程中的衰减因子.P-F效应的能量示意图如图所示.
应当指出，P-F效应的产生机理：(1)与材料内施主电荷的电离有关，而非电子越过金属-半导体势垒的发射;(2)施加于陷阱的内电场远大于106V/m，如热驻极体就满足这样的条件，此时的场强为(2～4)×107V/m;(3)在电介质中，电离载流子的自由程λ远小于放电方向上的材料厚度.
因此可以看出，P-F效应与Schottky注入完全不同. 此外，由这一效应引起的势垒降低，比Schottky注入引起的势垒降低大一倍，因为在1/4x处的电势，现在用1/r
处的库伦势代替了.