简介
晶体中 的位错增殖机制之一。该位错源是指两端固定的位 错线BC在外力作用下发生弯曲，并不断产生向外 扩展的位错环(见图98)，从而使位错增殖，滑移得 以不断进行的过程。该理论已为实验证实。使弗兰 克-里德位错源启动的临界切应力τc可用下式计算：
式中 G——晶体的切变模量;
b——位错伯格斯矢量的模;
L——位错线的长度。
图98 弗兰克-里德位错源增殖位错
图上的1、2、3、4、5分别表示位错线的弯曲及扩大过程
弗兰克-里德(Frank-Read)位错源
2022-12-25
金属百科
2022-12-25
晶体中 的位错增殖机制之一。该位错源是指两端固定的位 错线BC在外力作用下发生弯曲，并不断产生向外 扩展的位错环(见图98)，从而使位错增殖，滑移得 以不断进行的过程。该理论已为实验证实。使弗兰 克-里德位错源启动的临界切应力τc可用下式计算：
式中 G——晶体的切变模量;
b——位错伯格斯矢量的模;
L——位错线的长度。
图98 弗兰克-里德位错源增殖位错
图上的1、2、3、4、5分别表示位错线的弯曲及扩大过程