antisite defect
简介
反位缺陷是化合物晶体中一种原子占据了另一种原子的晶格位置而构成的缺陷.以Ⅲ- Ⅴ族化合物半导体中的砷化镓(GaAs)为例，当Ga占据了As的晶格位置时形成的缺陷称为Ga反位缺陷以符号GaAs表示; 反之，当As在晶格中占据了Ga的位置则构成As反位缺陷，以符号AsGa表示.
从电子交换的角度来看，本来应当给出一个电子的As的位置，被能够接受一个电子的Ga占据，所以Ga反位缺陷应当是一个双受主.反之，As反位缺陷应当是一个双施主.
Ga反位缺陷应当在富Ga条件下形成，在富Ga条件下液相外延生长的GaAs中，确实可以测到两个受主能级，一个在价带顶之上0.40eV，另一个在价带顶之上0.70eV.
As反位缺陷在富As条件下形成，一般汽相外延生长或液态密封体直拉的GaAs含有As反位缺陷.
GaAs中有一个很重要的深能级态，人们常称之为主电子陷阱，一般用EL2表示，它只在N型GaAs中出现，是一个深施主能级 其能级位置在导带底之下0.79eV.
现在倾向性的看法是，EL2是由As反位缺陷引起的，另外一种看法认为，EL2的起源不简单是As反位缺陷，而是AsGa和Ga空位的组合物. 电子顺磁共振实验结果表明，至少可以说EL2与As反位缺陷有关.
反位缺陷是化合物半导体中普遍存在的一种缺陷. 它引入的深能级对化合物半导体材料的电学性质和光学性质，都有重要影响.