金属材料百科

辐射探测器用硅单晶

2023-07-01

英文

silicon crystal for radiation detector

简介

用于X射线探测器的半导体材料。硅可用于制作结型、面晶型、锂漂移型等多种射线辐射探测器。虽然各种探测器都有自己的特殊要求,但其共同的要求是:碳含量低于2×1016/cm3;氧含量低于1×1016/cm3;深能级杂质如铁、镍等低于10-10g/g;少子寿命大于500μs;对微缺陷的种类与分布要进行控制等。这些单晶均用区熔法制成。为达到高纯的目的,要采用基磷与基硼含量很低的多晶,以硅烷法多晶为主。在成晶前需进行多次真空区熔提纯,提纯过程应避免碳等杂质的污染,并保持真空度不高于10-4Pa。对n型高阻单晶,现在多采用中子嬗变掺杂法以保证良好的均匀性。材料的适用性常以作出探测器的性能参数作为主要的判据。单晶的需求量不大。