英文
Ⅱ-Ⅵcompoundsemiconductor material
简介
由元素周期表中的ⅡA族与ⅥA族构成的化合物半导体材料。它是重要的半导体材料，在重要性与应用方面仅次于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。它们的主要性质见表。
Ⅱ-Ⅵ族化合物的主要性质
| 材料 | 化学式 |
熔点 /℃ |
带隙 /eV |
晶型 | 迁移率/cm2·(V·s)-1 | 有效质量 |
热导率 /W·(cm· ℃)-1 |
介电常数 | ||
| 电子 | 空穴 | me* | mh* | |||||||
|
氧化锌 硫化锌 |
ZnO α-ZnS β-ZnS |
>1800 1830 |
3.2(D) 3.8(D) 3.54(D) |
纤锌矿 纤锌矿 闪锌矿 |
180 140 |
0.32 0.28 0.39 |
0.27 >1 |
0.006 0.24 |
8.5 10 |
|
|
硒化锌 碲化锌 |
ZnSe ZnTe |
1515 1238 |
2.58(D) 2.28(D) |
闪锌矿 闪锌矿 |
530 340 |
28 110 |
0.17 | 0.7 |
9.1 10.1 |
|
|
硫化镉 硒化镉 |
CdS CdSe |
1475 1350 |
2.41(D) 1.74(D) |
纤锌矿 纤锌矿 |
350 500 |
15 |
0.17 0.13 |
5 0.7 |
10.33 9.7 |
|
|
碲化镉 硫化汞 |
CdTe HgS |
1090 1450 |
1.44(D) 2.5(D) |
闪锌矿 闪锌矿 |
1050 | 80 | 0.11 | 0.35 | 10.4 | |
| 硒化汞 | HgSe | 800 | -0.15 | 闪锌矿 | 20000 | 0.031 | 18 | |||
| 碲化汞 | HgTe | 670 | -0.15 | 闪锌矿 | 0.03 | 0.45 | 0.03 | |||
高、力学性能差，至今难以制成大直径体单晶，许多材料多作成外延薄膜。已获重要应用的有碲化镉、硫化镉、硒化锌、硫化锌以及本族的固溶半导体材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe)等。