英文
semiconductor crystalslicing
简介
将晶体切割成一定厚度晶片的半导体晶片加工的基本工序。切割专用的切片机有线切割、外圆切割和内圆切割机等。高速旋转的镀有金刚石颗粒的外圆刀片或内圆刀片，或高速移动的金属线加上金刚石磨料，对晶体加工部位锯切，把晶体切割成晶片。
早期采用在刀片圆周上镀有金刚石颗粒的外圆刀片切割晶体。自20世纪60年代起，采用在刀片内孔圆周上镀有金刚石颗粒的内圆刀片切割(见图)晶体。内圆刀片以不锈钢薄片为基体材料，可在内圆切片机的鼓形或环形刀环上张紧，可以大大提高切割精度和效率，同时降低刀口的切割损耗。
内圆切片机运行时，振动小，机械动态精度高，刀盘径向、轴向跳动量小，电气和机械控制机构动作精确和可靠是必要条件。
对于内圆切片机而言，被切割的晶体直径与刀片内径和刀头之间无一定的尺寸关系。但选择的原则是：晶体必须可进入刀片内孔，刀片能把晶体切透，晶体切
内圆刀片切割示意图
1—半导体晶体;2—内圆刀片不锈钢基体;3—金刚石涂层刀刃;4—刀片安装环
透时不得碰撞刀盘。
表中给出了各种刀盘直径、内圆刀片内径和可切割的最大晶体直径。
刀片尺寸与切割晶体直径对照表
| 刀盘直径/mm | 刀片内径/mm | 可切割晶体最大直径/mm |
|
300 400 550 675 850 |
100～112 137～150 200 225 300 |
62 75 112 150 200 |
刀片的质量、安装精度和刀刃的状态对加工的晶片质量起决定性作用。切割过程中刀片的冷却和切屑排除的好坏，也是影响晶片切割质量和刀片使用寿命的重要因素。
晶片表面的残留刀痕，通常是在刀片已切透晶体后退刀时产生的。消除的方法是使刀刃的锋利程度在刀刃的正面和两侧保持基本一致;切割的进刀速度与刀刃的锋利程度相配合，使刀片不因受力过大而弯曲变形，采用自动取片装置，即在退刀之前自动取走已切下的晶片，并使未切部分的晶体后退一定距离，使刀片能自由退出，既不接触晶片表面，又不接触晶体的切割端面，以保证晶片的两个表面都不残留刀痕。