impurity semiconductor
简介
杂质电离提供的载流子浓度大于
本征激发产生的载流子浓度的半导体
材料。实际使用的半导体材料大多为
杂质半导体。存在杂质中心而引起半
导体导电称为杂质导电或外因导电。
导电性取决于杂质类型和含量。将半
导体材料提纯，再掺入适当杂质，可以
制成n型或p型半导体。由本征半导
体掺入施主杂质或受主杂质即可制成
n型或p型半导体。4价Ge、Si被5价
P、Sb、As等杂质原子取代，当电子
从施主能级跃迁至导带时，即发生电
子杂质导电。3价杂质原子B、Al、In、
Ga取代半导体晶格的4价原子，电子
从填满的价带跃迁至受主能级，即会
在价带中产生正空穴，使价带变成空
穴的导带，导致空穴杂质导电。同时掺
杂施主和受主杂质，导电性取决于产
生较高载流子浓度的杂质。杂质导电
与温度密切相关。利用不同类型的杂
质导电，可以制成整流器、半导体二极
管和集成电路等。