elemental semiconductor materials
简介
单一元素构成的具有半导体性质
的材料。电阻率约为10-5～107Ω·
cm，微量杂质和外界条件变化都会显
著改变其导电性能的固体材料。有12
种半导体性质的元素，其特性参数列
入附表中。这些半导体元素多数是不
稳定的，S、P、As、Sb、Ⅰ易挥发;灰
锡低温下才稳定。B熔点太高，不易制
备单晶，未得到应用。金刚石是宽带隙
半导体，热导率高，可望制成能在高温
工作的晶体管和光电器件，尚处于探
索阶段。硅、锗是典型的元素半导体，
硅是用量最大的半导体材料，硅器件
占整个半导体器件的90%以上，锗主
要用于制作探测器。硒用于制作整流
器和光敏器件。
| 族 | 元素 | 熔点(℃) |
能隙宽
(eV) |
迁移率(cmVs) | 注 | |
| 电子 | 空穴 | |||||
| ⅢA | B | 2030 | 1.6 | |||
| ⅣA |
C Si
Ge |
3727
1410 937.4 |
5.47
1.12 0.66 |
1800
1500 3900 |
1200
450 1900 |
金刚石 |
| Sn | 231.9 | 0.082 | 1400 | 1200 | α-Sn | |
| ⅤA |
P As
Sb |
44.2
817 630.5 |
2.0
1.2 0.1 |
220
65 3 |
350
60 — |
红磷
灰砷 灰锑 |
| ⅥA | S | 119 | 2.4 | — | — | β-Se |
| Se Te |
217
449.5 |
1.8
0.3 |
1
900 |
0.2
570 |
||
| ⅦA | I | 113.7 | 1.3 | — | — | |