氧化物半导体

oxide semiconductor

简介

具有半导体性质的氧化物。晶体
呈离子键很强的共价键结合，有四面
体、立方、六角等结构。化学计量比的
微小偏离在化合物中造成施主与受
主，从而影响其导电性。禁带宽度较
大，约为3eV。Cu₂O、FeO、CaO、NiO、
Cr₂O、Bi₂O、MoO₂、TiO₂等的电导率
随氧化气氛而增加，称氧化型半导体，
是p型半导体。Al₂O₃，InO，SnO₂，
Ta₂O₅等的电导率随还原气氛而增
加，称还原型半导体，是n型半导体。
BaO，Fe₂O₃等的导电类型随气氛中氧
分压的大小而成p型或n型，称两性
半导体。熔点都较高，不易获得完美单
晶。可用熔体生长、火焰法、溶液生长、
气相生长等方法制备体单晶。一般制
成薄膜、粉末烧结体、混合物涂层和无定形材料。ZnO、CdO、SnO₂、Fe₂O₃
等用于制造气敏元件。Fe₃O₄、Cr₂O₃、
ZnO、Al₂O₃等用于制造湿敏元件。
SnO₂膜用于制作透明电极等。