gallium aluminum arsenide
简介
Ⅱ—Ⅴ族三元固溶体。化学式为
GaxAl1-xAs，闪锌矿结构。晶格常数随
组分x而异，在5.6611—0.56419nm
范围内变化。0≤x≤0.64时，为间接
带隙半导体，能带结构与AlAs类似;
0.64≤x≤1时，为直接带隙半导体，
能带结构与GaAs类似。禁带宽度Eg
随x在2.13—1.428eV范围内变化。
AlAs与GaAs的晶格常数非常接近
(分别为0.56622和0.56531nm)，其
三元固溶体是较理想的自匹配体系。
在GaAs衬底可生长出晶格匹配好的
GaxAl1-xAs外延层。主要用于半导体
激光器，高亮度红色发光二极管，高辐
射度红外发光二极管，高效太阳能电
池，光电集成电路等。GaxAl1-xAs/
GaAs双异质 (DH)结构激光器和发
光管广泛用于光通信、光信息存储、传
感等领域。