材料百科

磷砷化铟

2023-05-03

indium arsenide phosphide

简介

Ⅲ—Ⅴ族三元化合物半导体。化
学式为InAs1-xPx,闪锌矿型结构。晶
格常数随x而异,在0.586875~
0.60584nm范围内变化。直接带隙半
导体,禁带宽度Eg随x在1.34~
0.356eV范围内变化。可用区域熔炼、
直拉单晶或在半绝缘GaAs衬底上外
延生长膜层。适当选择x值可使它兼
有带隙较大和电子迁移率较高的特
性,适于制备高能加速器、质谱仪等测
试探头。还可用作近红外发光和激光器件及冷阴极电子发射材料。