宽禁带半导体

wide-gap semiconductor

简介

室温下禁带宽度E_g>2.3eV的
半导体材料。适用于蓝光乃至紫外光
学器件，较大的E_g还有利于半导体器
件的热稳定性。常见的宽禁带半导体
有金刚石 (E_g＝5.5eV)，多种结构形
式的碳化硅 (如6H-SiC，E_g＝2.9eV，
3B-SiC，E_g＝2.3eV)，立方氮化硼
(E_g≥6.4eV)，氮化铝 (E_g＝6.2eV)，
氮化镓 (E_g＝3.4eV)，ZnS (E_g＝
3.6eV)，ZnSe (E_g＝2.7eV)，ZnTe
(E_g＝2.3eV)和CaS (E_g＝2.5eV)等.
金刚石、立方BN及SiC等具有高硬
度、耐磨蚀及高热导率等优良特性，可
制作高温电子器件。目前，已制成
SiC、GaN及ZnSe基础材料的蓝光发
光二极管及ZnSe基础材料的蓝光激
光器。GaN蓝光激光器正在开发中。