indirect gap semiconductor
简介
导带在波矢量空间的K=0处有
一极小值，但不是最小值，而电子集中
在最小值处，即导带底和价带顶不在
K空间的同一点，相应的带隙称间接
带隙，这种半导体即称间接禁带半导
体。在间接带隙材料中，导带底和价带
顶之间的光跃迁涉及电子准动量的大
改变，必须有适当动量的声子参与才
能实现，此二级过程的跃迁几率比直
接带隙中无声子参与的竖直跃迁要小
得多。因此，间接带隙材料的直接辐射
复合系数和吸收边附近的吸收系数要
比直接带隙材料的小得多。间接带隙
半导体材料有Ge、Si、GaP、AlSb等。
这些材料不能用于作注入型激光二极
管;除GaP外，也不能制作发光二极
管，而GaP则靠加入等电子陷阱而实
现发光。