cadmium telluride
简介
重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材
料。分子式为CdTe，具有闪锌矿型晶
体结构，晶格常数0.6481nm，熔点
1092℃，密度5.766g/cm3，禁带宽度
1.5eV(25℃)，能带构造为直接型，电
子迁移率 (25℃) 1050cm2/(V·s)，
空穴迁移率(25℃) 80cm2/(V·s)，
电子有效质量0.096，电阻率103～
107Ω·cm。以高纯碲和镉为原料，脱
氧后合成碲化镉，再用垂直定向结晶
法或垂直区熔法生长成单晶或多晶。
单晶用于制作红外电光调制器、红外
探测器、红外透镜和窗口、常温γ射线
探测器、太阳能电池及接近可见光区
的发光器件等。