材料百科

外延生长

2023-05-02

epitaxial growth

简介

在单晶衬底上沿其晶向连续生长
具有特定参数的单晶薄层的方法。按
衬底材料与外延材料的化学组成分为
真同质外延、赝同质外延、真异质外延
与赝异质外延。真同质外延是指衬底
与外延层的化学组成,包括掺杂剂与
浓度都完全相同的外延生长。赝同质
外延是指衬底与外延层的化学组成相
同,但掺杂剂或掺杂浓度不同。以上简
称为同质外延。真异质外延是指衬底
与外延层的化学组成完全不同,而赝
异质外延是指衬底与外延层的化学组
成中有一个或部分元素相同,这两种
简称异质外延。外延生长的方法有气
相外延(VPE)、固相外延(SPE)、液
相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、
原子层外延 (ALE)、离子束外延
(IBE)、化学分子束外延(CBE)等,其
中适合异质外延生长的方法有液相外
延、气相外延和分子束外延。外延生长
可改善单晶质量,形成各种化合物,制
备难以用单晶生长法制备的单晶和固
溶体、多层、超薄层材料等,可形成新
结构。为改善和开发新型器件提供材
料。