vapor-liquid-solid epitaxial growth method
简介
由气、液、固三种物质状态组合，
生长物质先由气态变为液态，再由液
态沉积生长成固态晶体的方法。研究
发现：将一颗金粒置于单晶硅衬底上，
加热到370℃以上，在硅面上形成Si
溶于Au的溶滴，再引入混合气体H2
+SiCl4，使其表面发生Si的还原反
应，以致使溶滴中的Si过饱和，过量
的Si在单晶硅衬底上结晶，上述连续
过程即可形成Si的晶体棱柱将液滴
托在上面，生长出细丝状晶须，应用于
制备晶片、晶体块材、外延膜等。VLS
外延生长法被广泛用于生长Si、Ge、
GaAs、Ga等半导体材料及α-Al2O3、
SiC、BeO等，可制备微型电路、半导
体结。