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气—液—固相外延生长法

vapor-liquid-solid epitaxial growth method

简介

由气、液、固三种物质状态组合,
生长物质先由气态变为液态,再由液
态沉积生长成固态晶体的方法。研究
发现:将一颗金粒置于单晶硅衬底上,
加热到370℃以上,在硅面上形成Si
溶于Au的溶滴,再引入混合气体H2
+SiCl4,使其表面发生Si的还原反
应,以致使溶滴中的Si过饱和,过量
的Si在单晶硅衬底上结晶,上述连续
过程即可形成Si的晶体棱柱将液滴
托在上面,生长出细丝状晶须,应用于
制备晶片、晶体块材、外延膜等。VLS
外延生长法被广泛用于生长Si、Ge、
GaAs、Ga等半导体材料及α-Al2O3
SiC、BeO等,可制备微型电路、半导
体结。