vapor phase epitaxial growth method
简介
采用气相沉积一种晶体，浮生在
衬底晶体上，形成外延薄膜的方法。按
衬底不同分为同质外延和异质外延。
气相外延选择的衬底晶体应与被沉积
晶体的晶格匹配，衬底表面必须洁净，
无机械损伤和堆积夹杂，保证外延生
长后得到好的晶体薄膜的表面质量。
控制沉积速率和气氛，可以保证沉积
薄膜晶体的质量。用于电子仪器、磁性
记录装置、集成光学等元件表面薄膜
的制作。主要外延材料有Si，Ge-Si，
GaAS及其化合物，Ⅲ-Ⅴ族化合物。
与其他外延工艺相比，VPE具有更大
的适应性，更容易生长高质量、大面积
和超薄层材料，便于规模生产各种器
件，如发光管、激光器等。