ion beam deposition
简介
用离化的粒子作为源物质直接沉
积，或用离子束溅射源物质再使其沉
积到基材表面的镀膜技术。此技术的
离子可由离子源直接引出、经质谱仪
部分引出、加偏压部分离化、电子束照
射使离子簇团离化等方法得到。离子
的能量为100eV左右，低于溅射和离
子注入的能量。沉积在高度真空中进
行，可通过调整电参数严格控制成膜
过程，适于制备高密度、晶体参数可控
的优质薄膜和在高温高压下才可得到
的材料。主要用于制备超大规模集成
电路元器件。镀膜速率受离子源提供
的离子速率限制，低于工业生产用的
蒸镀和磁控溅射。