homogeneous nucleation
简介
在物质相变时，新相的晶核是在
物质内部成分和结构都均匀的区域形
成的成核方式。若新相的晶核是在杂
质、第二相(沉淀颗粒)、或晶体缺陷
(如晶界、位错)等局部区域形成，这
种成核方式就称为非均匀成核。图
(a)和(b)分别是均匀成核和非均匀
成核的示意图。均匀成核时新相晶核
的全部外表面都和母相(基体)接触，
故界面面积最大，界面能最高。而在非
均匀成核时，由于一部分新相晶核和
母相(基体)的界面被新相晶核与杂质
(或沉淀颗粒、晶体缺陷等)的界面所
代替，故非均匀成核时新相晶核和母
相的界面面积比均匀成核时小，界面
能更小，因而非均匀成核所需的过冷
度就比均匀成核小。
