stacking fault
简介
晶体原子层理想完整堆垛次序中
出现的一个差错(误排)。全称堆垛层
错。是晶体中常见的一种面缺陷。fcc
晶体可视为由全同的{111}密排面堆
垛而成，如图所示。如称第一层为A，
则第二层落在B位置，第三层落在C
位置，第四层又在A位置。如此重复
堆垛，形成无限序列…ABCABC…，
是完整的fcc晶体。若在某一A层之
上的B层整体滑移到C位置(1/6
<112>滑移)，则原序列变为…ABCA
|CABC…，可见在“|”标记处出现一
个堆垛次序的误排，就是一个层错。
fcc晶体中有三种可能产生层错的机
制：①{111}面的1/6<112>滑移;②
抽去一个{111}层，并令上下层弥合，
习惯称该层错为内禀层错;③插入一
个{111}层，习惯称该层错为外禀层
错。后两种机制可以通过空位或填隙
原子的凝聚而实现。hcp晶体在
(0001)面也可以形成层错。(0001)面
的堆垛次序为…ABABAB…，若变为
…ABAB|CBCB…则在“|”处出现一
个层错。bcc晶体{112}面为6层，为
一个周期的堆垛，在此面上也可以形
成层错。其他各种不同晶体中可能出
现的层错形式视其结构差异而不同。
在密集结构晶体中，层错的引入不改
变最近邻关系，且几乎不发生畸变。层
错的边界为不全位错，层错的存在和
性质制约这些不全位错的运动。
