p-type semiconductors
简介
空穴导电半导体。在半导体中掺
入了低价杂质。例如在四价的硅或锗
中掺入了三价的杂质铝、镓或铟后便
形成p型半导体。其导电机制如下：一
个三价的杂质Al原子取代晶格中的
Si原子后，为了能和最邻近的四个Si
原子形成共价键，必须从其他Si原子
取得一个价电子，这就需要外界提供
微小的能量。失去了一个价电子的Si
原子外层便形成了一个缺少负电荷
(相当于带正电荷)的电子空穴。随后
其他Si原子的价电子又可迁入此电
子空穴中，而空穴则迁移到其他Si原
子上。这样一来，导电过程就是电子空
穴的迁移过程。从能带角度看，从Si
原子迁移到Al原子外层的价电子处
于接近于价带顶部的受主能级Ea上，
同时在价带留下一个电子空穴。电子
空穴的迁移就是价电子跃迁到电子空
穴中，从而形成电流。由于这种半导体
的载流子是带正电的电子空穴，故称
为p型半导体。